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IRL1004PBF

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IRL1004PBF
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IRL1004PBF参数：MOSFET N-CH 40V 130A TO-220AB

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
标准包装：50
系列：HEXFET®
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：40V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：130A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：6.5毫欧@78A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：100nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：5330pF@25V
功率-最大值：200W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB

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