IRL510STRL参数：MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：800系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：100V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：5.6A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：540 毫欧 @ 3.4A，5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：6.1nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：250pF @ 25V功率 - 最大值：3.7W安装类型：表面贴装封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB供应商器件封装：D2PAK