IRL530NS参数:MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
类别:分立半导体产品-FET - 单设计资源: IRL530NSSaberModel IRL530NSSpiceModel标准包装:50系列:HEXFET®包装:管件FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):100V电流-连续漏极(Id)(25°C时):17A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):100毫欧@9A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):34nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss):800pF@25V功率-最大值:3.8W安装类型:表面贴装封装:TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB供应商器件封装:D2PAK