IRL5602S参数:MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
类别:分立半导体产品-FET - 单设计资源: IRL5602SSaberModel IRL5602SSpiceModel标准包装:50系列:HEXFET®包装:管件FET类型:MOSFETP通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):20V电流-连续漏极(Id)(25°C时):24A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):42毫欧@12A,4.5V不同Id时的Vgs(th)(最大值):1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):44nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss):1460pF@15V功率-最大值:75W安装类型:表面贴装封装:TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB供应商器件封装:D2PAK