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IRL620S

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IRL620STRLPBF 优势库存
IR
TO-263(D2PAK)
2023+
8350
全新原厂原装现货
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IRL620STRR
Vishay Silicon..
D2PAK（TO-263）
2023+
500
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IRL620S
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D2PAK（TO-263）
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IRL620SPBF
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D2PAK（TO-263）
2023+
2323
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IRL620STRL
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D2PAK（TO-263）
2023+
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IRL620STRLPBF
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D2PAK（TO-263）
2023+
630
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IRL620S
IR
SOT-252
2023+
6278
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IRL620SPBF
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TO-263-3,Dsu..
2023+
1250
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IRL620S
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IRL620STRR
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Dsup2Pak，TO-..
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6000
品质保证,价格优惠
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IRL620S
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IRL620SPBF
IR
D2-pak
2023+
11278
工厂配单，价格优势
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IRL620STRLPBF
IR
进口原装 库房现货
2023+
5600
IRL620SPBF
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进口原装 库房现货
2023+
5600
IRL620S
IR
库房现货原装进口
2023+
5600
相关型号： IRL620PBF IRL620 IRL610A IRL5602STRRPBF IRL5602STRR IRL5602STRLPBF

IRL620S
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IRL620S参数：MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：1,000
系列：-
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：200V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：5.2A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：800 毫欧 @ 3.1A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：16nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：360pF @ 25V
功率 - 最大值：3.1W
安装类型：表面贴装
封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：D2PAK

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