IRL6372TRPBF参数：MOSFET N-CH DUAL 30V 8.1A 8SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)标准包装：4,000系列：HEXFET®包装：带卷(TR)FET类型：2个N沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：8.1A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：17.9毫欧@8.1A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.1V@10µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：11nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1020pF@25V功率-最大值：2W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）供应商器件封装：8-SO
