IRL640A参数:MOSFET N-CH 200V 18A TO-220
类别:分立半导体产品-FET - 单产品培训模块: HighVoltageSwitchesforPowerProcessing标准包装:50系列:-包装:管件FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):200V电流-连续漏极(Id)(25°C时):18A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):180毫欧@9A,5V不同Id时的Vgs(th)(最大值):2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):56nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss):1705pF@25V功率-最大值:110W安装类型:通孔封装:TO-220-3供应商器件封装:TO-220