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IRL8113STRLPBF

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IRL8113STRLPBF
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IRL8113STRLPBF参数：MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
标准包装：800
系列：HEXFET®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：105A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：6毫欧@21A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.25V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：35nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：2840pF@15V
功率-最大值：110W
安装类型：表面贴装
封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：D2PAK

IRL8113STRLPBF

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