IRL8113参数：MOSFET N-CH 30V 105A TO-220AB
类别：分立半导体产品-FET - 单设计资源： IRL8113LSaberModel IRL8113LSpiceModel标准包装：50系列：HEXFET®包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：105A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：6毫欧@21A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.25V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：35nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：2840pF@15V功率-最大值：110W安装类型：通孔封装：TO-220-3供应商器件封装：TO-220AB
