IRLB3034PBF参数:MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
类别:分立半导体产品-FET - 单产品培训模块: HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)设计资源: IRLB3034PBFSaberModel IRLB3034PBFSpiceModel特色产品: HEXFET?PowerMOSFETs标准包装:50系列:HEXFET®包装:管件FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):40V电流-连续漏极(Id)(25°C时):195A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):1.7毫欧@195A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):162nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss):10315pF@25V功率-最大值:375W安装类型:通孔封装:TO-220-3供应商器件封装:TO-220AB