IRLB8721PBF参数:MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB
类别:分立半导体产品-FET - 单产品培训模块: HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)特色产品: 30VMOSFETFamily标准包装:50系列:HEXFET®包装:管件FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:标准漏源极电压(Vdss):30V电流-连续漏极(Id)(25°C时):62A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):8.7毫欧@31A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.35V@25µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):13nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss):1077pF@15V功率-最大值:65W安装类型:通孔封装:TO-220-3供应商器件封装:TO-220AB