IRLBD59N04ETRLP参数：MOSFET N-CH 40V 59A D2PAK-5
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：800系列：HEXFET®包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：40V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：59A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：18 毫欧 @ 35A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：50nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2190pF @ 25V功率 - 最大值：130W安装类型：表面贴装封装：TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA供应商器件封装：TO-263-5