IRLBD59N04ETRLP

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IRLBD59N04ETRLP参数：MOSFET N-CH 40V 59A D2PAK-5

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：800
系列：HEXFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：40V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：59A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：18 毫欧 @ 35A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：50nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2190pF @ 25V
功率 - 最大值：130W
安装类型：表面贴装
封装：TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA
供应商器件封装：TO-263-5