IRLD110PBF参数:MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
类别:分立半导体产品-FET - 单产品目录绘图: IR(F,L)DSeriesSide1 IR(F,L)DSeriesSide2标准包装:2,500系列:-包装:管件FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):100V电流-连续漏极(Id)(25°C时):1A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):540毫欧@600mA,5V不同Id时的Vgs(th)(最大值):2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):6.1nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss):250pF@25V功率-最大值:1.3W安装类型:通孔封装:4-DIP(0.300",7.62mm)供应商器件封装:4-DIP,Hexdip,HVMDIP