IRLH5030TR

IRLH5030TR2PBF
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IRLH5030TR2PBF参数：MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：1
系列：HEXFET®
包装：剪切带 (CT)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：100V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：13A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：9 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 150µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：94nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：5185pF @ 50V
功率 - 最大值：3.6W
安装类型：表面贴装
封装：8-PowerVQFN
供应商器件封装：PQFN（5x6）单芯片焊盘