IRLH5030TRPBF参数:MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN
类别:分立半导体产品-FET - 单产品培训模块: HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)标准包装:4,000系列:HEXFET®包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):100V电流-连续漏极(Id)(25°C时):13A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):9毫欧@50A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.5V@150µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):94nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):5185pF@50V功率-最大值:3.6W安装类型:表面贴装封装:8-PowerVQFN供应商器件封装:PQFN(5x6)单芯片焊盘