IRLH6224TRPBF参数：MOSFET N-CH 20V 28A PQFN 5X6
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：4,000系列：HEXFET®包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：28A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：3 毫欧 @ 20A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 50µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：86nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3710pF @ 10V功率 - 最大值：3.6W安装类型：表面贴装封装：8-PowerTDFN供应商器件封装：8-PQFN（5x6）
