IRLHM620TR2PBF参数：MOSFET N-CH 20V 26A PQFN
类别：分立半导体产品-FET - 单设计资源： IRLHM620TR2PBFSaberModel IRLHM620TR2PBFSpiceModel标准包装：1系列：HEXFET®包装：剪切带(CT)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：26A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：2.5毫欧@20A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.1V@50µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：78nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：3620pF@10V功率-最大值：2.7W安装类型：表面贴装封装：8-VQFN裸露焊盘供应商器件封装：PQFN（3x3）
