IRLHS2242TR2PBF参数:MOSFET P-CH 20V 5.8A 2X2 PQFN
类别:分立半导体产品-FET - 单设计资源: IRLHS2242TR2PBFSaberModel IRLHS2242TR2PBFSpiceModel特色产品: PQFN2x2标准包装:1系列:HEXFET®包装:剪切带(CT)FET类型:MOSFETP通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):20V电流-连续漏极(Id)(25°C时):7.2A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):31毫欧@8.5A,4.5V不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.1V@10µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):12nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):877pF@10V功率-最大值:2.1W安装类型:表面贴装封装:6-PowerVDFN供应商器件封装:6-PQFN(2x2)