IRLHS6242TRPBF参数：MOSFET N-CH 20V 10A PQFN
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)设计资源： IRLHS6242TR2PBFSaberModel IRLHS6242TR2PBFSpiceModel标准包装：4,000系列：HEXFET®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：10A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：11.7毫欧@8.5A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.1V@10µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：14nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1110pF@10V功率-最大值：1.98W安装类型：表面贴装封装：6-PowerVDFN供应商器件封装：6-PQFN（2x2）
