IRLHS6276TRPBF参数：MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)设计资源： IRLHS6276TR2PBFSaberModel IRLHS6276TR2PBFSpiceModel标准包装：4,000系列：HEXFET®包装：带卷(TR)FET类型：2个N沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4.5A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：45毫欧@3.4A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.1V@10µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：3.1nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：310pF@10V功率-最大值：1.5W安装类型：表面贴装封装：6-VQFN供应商器件封装：6-PQFN（2x2）
