IRLHS6342TR2PBF参数：MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN
类别：分立半导体产品-FET - 单设计资源： IRLHS6342TR2PBFSaberModel IRLHS6342TR2PBFSpiceModel特色产品： PQFN2x2标准包装：1系列：HEXFET®包装：剪切带(CT)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：8.7A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：15.5毫欧@8.5A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.1V@10µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：11nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1019pF@25V功率-最大值：2.1W安装类型：表面贴装封装：6-PowerVDFN供应商器件封装：6-PQFN（2x2）
