IRLHS6376TRPBF参数：MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)设计资源： IRLHS6376TR2PBFSaberModel IRLHS6376TR2PBFSpiceModel标准包装：4,000系列：HEXFET®包装：带卷(TR)FET类型：2个N沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3.6A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：63毫欧@3.4A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.1V@10µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：2.8nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：270pF@25V功率-最大值：1.5W安装类型：表面贴装封装：6-VDFN裸露焊盘供应商器件封装：6-PQFN（2x2）
