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IRLI530G

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IRLI530G 优势库存
IR
TO-220F
2023+
4611
原装现货，价格优势
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IRLI530GPBF
Vishay Silicon..
TO-220-3
2023+
3421
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IRLI530G
Vishay Silicon..
TO-220-3
2023+
500
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2023+
21857
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IRLI530GPBF
Vishay/Silicon..
TO-220-3，
2023+
3189
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IRLI530G
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TO-220-3，
2023+
1250
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IRLI530G
Vishay/Silicon..
TO-220-3（，），..
2023+
6000
品质保证,价格优惠
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IRLI530G-LF33
IR
TO-220F
2023+
16507
工厂配单，价格优势
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IRLI530G107
IR
原厂原包装
2023+
25595
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IRLI530G
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原厂原装
2023+
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IRLI530GPBF
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进口原装 库房现货
2023+
5600
相关型号： IRLI520NPBF IRLI520N IRLI520GPBF IRLI520G IRLI510ATU IRLI3803PBF

IRLI530G
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IRLI530G参数：MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220FP

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品目录绘图： IR(L,F)ISeriesSide1 IR(L,F)ISeriesSide2
标准包装：1,000
系列：-
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：9.7A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：160毫欧@5.8A，5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：28nC@5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：930pF@25V
功率-最大值：42W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3全封装，隔离接片
供应商器件封装：TO-220-3

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