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IRLI640GPBF

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相关型号： IRLI640G IRLI630GPBF IRLI630G IRLI620GPBF IRLI620G IRLI610ATU

IRLI640GPBF
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IRLI640GPBF参数：MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220FP

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品目录绘图： IR(L,F)ISeriesSide1 IR(L,F)ISeriesSide2
标准包装：1,000
系列：-
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：200V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：9.9A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：180毫欧@5.9A，5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：66nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1800pF@25V
功率-最大值：40W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3全封装，隔离接片
供应商器件封装：TO-220-3

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