IRLIB4343参数：MOSFET N-CH 55V 19A TO220FP
类别：分立半导体产品-FET - 单设计资源： IRLIB4343SaberModel IRLIB4343SpiceModel标准包装：50系列：HEXFET®包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：55V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：19A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：50毫欧@4.7A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：42nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：740pF@50V功率-最大值：39W安装类型：通孔封装：TO-220-3整包供应商器件封装：TO-220AB整包
