IRLL014TRPBF参数:MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
类别:分立半导体产品-FET - 单产品目录绘图: IR(F,L)LSeriesTop IR(F,L)LSeriesSide标准包装:2,500系列:-包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):60V电流-连续漏极(Id)(25°C时):2.7A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):200毫欧@1.6A,5V不同Id时的Vgs(th)(最大值):2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):8.4nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss):400pF@25V功率-最大值:2W安装类型:表面贴装封装:TO-261-4,TO-261AA供应商器件封装:SOT-223