IRLL024NPBF参数：MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)标准包装：80系列：HEXFET®包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：55V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3.1A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：65毫欧@3.1A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：15.6nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：510pF@25V功率-最大值：1W安装类型：表面贴装封装：TO-261-4，TO-261AA供应商器件封装：SOT-223
