IRLL2703PBF参数:MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223
类别:分立半导体产品-FET - 单产品培训模块: HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)标准包装:80系列:HEXFET®包装:管件FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):30V电流-连续漏极(Id)(25°C时):3.9A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):45毫欧@3.9A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):14nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss):530pF@25V功率-最大值:1W安装类型:表面贴装封装:TO-261-4,TO-261AA供应商器件封装:SOT-223