IRLM110ATF参数:MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-223
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:4,000系列:-包装:带卷 (TR)FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):100V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):1.5A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):440 毫欧 @ 750mA,5V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):8nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):235pF @ 25V功率 - 最大值:2.2W安装类型:表面贴装封装:TO-261-4,TO-261AA供应商器件封装:SOT-223-3