IRLML0100TRPBF参数：MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23-3
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)设计资源： IRLML0100TRPBFSaberModel IRLML0100TRPBFSpiceModel标准包装：3,000系列：HEXFET®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：100V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1.6A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：220毫欧@1.6A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@25µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：2.5nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：290pF@25V功率-最大值：1.3W安装类型：表面贴装封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供应商器件封装：Micro3?/SOT-23
