IRLML2502GTRPBF参数:MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23-3
类别:分立半导体产品-FET - 单产品培训模块: HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)标准包装:3,000系列:HEXFET®包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):20V电流-连续漏极(Id)(25°C时):4.2A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):45毫欧@4.2A,4.5V不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):12nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss):740pF@15V功率-最大值:1.25W安装类型:表面贴装封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装:Micro3?/SOT-23