IRLML6246TRPBF参数:MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT-23
类别:分立半导体产品-FET - 单产品培训模块: HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)设计资源: IRLML6246TRPBFSaberModel IRLML6246TRPBFSpiceModel标准包装:3,000系列:HEXFET®包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):20V电流-连续漏极(Id)(25°C时):4.1A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):46毫欧@4.1A,4.5V不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.1V@5µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):3.5nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss):290pF@16V功率-最大值:1.3W安装类型:表面贴装封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装:SOT-23-3