IRLML6302TRPBF参数：MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)设计资源： IRLML6302TRSaberModel IRLML6302TRSpiceModel标准包装：3,000系列：HEXFET®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：780mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：600毫欧@610mA，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：3.6nC@4.45V不同Vds时的输入电容(Ciss)：97pF@15V功率-最大值：540mW安装类型：表面贴装封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供应商器件封装：Micro3?/SOT-23