IRLML6401TRF

IRLML6401TR
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IRLML6401TR参数：MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23

类别：分立半导体产品-FET - 单
设计资源： IRLML6401TRSaberModel IRLML6401TRSpiceModel
PCNObsolescence： (PMD)LeadedParts25/May/2012
标准包装：1
系列：HEXFET®
包装：剪切带(CT)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：12V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4.3A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：50毫欧@4.3A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：950mV@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：15nC@5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：830pF@10V
功率-最大值：1.3W
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：Micro3?/SOT-23