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IRLML6402TR

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相关型号： IRLML6402GTRPBF IRLML6401TRPBF IRLML6401TR IRLML6401GTRPBF IRLML6346TRPBF IRLML6344TRPBF

IRLML6402TR
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IRLML6402TR参数：MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23

类别：分立半导体产品-FET - 单
设计资源： IRLML6402TRSaberModel IRLML6402TRSpiceModel
PCNObsolescence： (PMD)LeadedParts25/May/2012
标准包装：1
系列：HEXFET®
包装：剪切带(CT)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3.7A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：65毫欧@3.7A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.2V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：12nC@5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：633pF@10V
功率-最大值：1.3W
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：Micro3?/SOT-23