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IRLMS1902TR

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163
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相关型号： IRLMS1503TRPBF IRLMS1503TR IRLML9303TRPBF IRLML9301TRPBF IRLML6402TRPBF IRLML6402TR

IRLMS1902TR
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IRLMS1902TR参数：MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP

类别：分立半导体产品-FET - 单
设计资源： IRLMS1902TRSaberModel IRLMS1902TRSpiceModel
标准包装：3,000
系列：HEXFET®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3.2A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：100毫欧@2.2A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：700mV@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：7nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：300pF@15V
功率-最大值：1.7W
安装类型：表面贴装
封装：6-LSOP（0.063"，1.60mm宽）
供应商器件封装：Micro6?（TSOP-6）

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