IRLMS2002TR参数:MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP
类别:分立半导体产品-FET - 单设计资源: IRLMS2002TRSaberModel IRLMS2002TRSpiceModelPCNObsolescence: MultipleDevices03/Apr/2013标准包装:1系列:HEXFET®包装:剪切带(CT)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平栅极,2.5V驱动漏源极电压(Vdss):20V电流-连续漏极(Id)(25°C时):6.5A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):30毫欧@6.5A,4.5V不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):22nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss):1310pF@15V功率-最大值:2W安装类型:表面贴装封装:6-LSOP(0.063",1.60mm宽)供应商器件封装:Micro6?(TSOP-6)