IRLMS2002GTRPBF参数：MOSFET N-CH 20V 6.5A 6TSOP
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)标准包装：3,000系列：HEXFET®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：6.5A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：30毫欧@6.5A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：22nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1310pF@15V功率-最大值：2W安装类型：表面贴装封装：6-LSOP（0.063"，1.60mm宽）供应商器件封装：Micro6?（TSOP-6）
