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IRLMS5703TRPBF

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IRLMS5703TRPBF
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IRLMS5703TRPBF参数：MOSFET P-CH 30V 2.4A 6-TSOP

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
设计资源： IRLMS5703TRSaberModel IRLMS5703TRSpiceModel
标准包装：3,000
系列：HEXFET®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.4A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：180毫欧@1.6A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：11nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：170pF@25V
功率-最大值：1.7W
安装类型：表面贴装
封装：6-LSOP（0.063"，1.60mm宽）
供应商器件封装：Micro6?（TSOP-6）

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