IRLMS5703TR参数：MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-TSOP
类别：分立半导体产品-FET - 单设计资源： IRLMS5703TRSaberModel IRLMS5703TRSpiceModel标准包装：1系列：HEXFET®包装：剪切带(CT)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.3A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：200毫欧@1.6A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：11nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：170pF@25V功率-最大值：1.7W安装类型：表面贴装封装：6-LSOP（0.063"，1.60mm宽）供应商器件封装：Micro6?（TSOP-6）
