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IRLMS6702TR

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IRLMS6702TRPBF 优势库存
IR
SOT23-6
2023+
27356
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IRLMS6702TRPBF
IRF
SOT163
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IRLMS6702TR
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SOT-323
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IRLMS6702TRSOT163-2C
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2023+
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IRLMS6702TR/2C0Q
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13278
工厂配单，价格优势
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IRLMS6702TRPBF
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TSOP-6
2023+
26000
晶体管
IRLMS6702TRPBF
IR
进口原装 库房现货
2023+
5600
IRLMS6702TR
IR
SOT23-6
2023+
13520
原装现货
相关型号： IRLMS5703TRPBF IRLMS5703TR IRLMS4502TR IRLMS2002TRPBF IRLMS2002TR IRLMS2002GTRPBF

IRLMS6702TR
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IRLMS6702TR参数：MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP

类别：分立半导体产品-FET - 单
设计资源： IRLMS6702TRSaberModel IRLMS6702TRSpiceModel
PCNObsolescence： MultipleDevices03/Apr/2013
标准包装：1
系列：HEXFET®
包装：剪切带(CT)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.4A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：200毫欧@1.6A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：700mV@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：8.8nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：210pF@15V
功率-最大值：1.7W
安装类型：表面贴装
封装：6-LSOP（0.063"，1.60mm宽）
供应商器件封装：Micro6?（TSOP-6）

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