IRLMS6702TR参数：MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP
类别：分立半导体产品-FET - 单设计资源： IRLMS6702TRSaberModel IRLMS6702TRSpiceModelPCNObsolescence： MultipleDevices03/Apr/2013标准包装：1系列：HEXFET®包装：剪切带(CT)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.4A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：200毫欧@1.6A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：700mV@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：8.8nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：210pF@15V功率-最大值：1.7W安装类型：表面贴装封装：6-LSOP（0.063"，1.60mm宽）供应商器件封装：Micro6?（TSOP-6）
