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IRLR024Z

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IRLR024Z 优势库存
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TO-252
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IRLR024ZTRPBF 优势库存
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IRLR024ZTRLPBF
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IRLR024Z
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748
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IRLR024ZTRPBF
InternationalR..
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IRLR024ZTRLPBF
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IRLR024Z
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1250
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IRLR024Z
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2023+
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IRLR024ZTR
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9000
品质保证,价格优惠
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IRLR024ZTRR
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39357
工厂配单，价格优势
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IRLR024ZTRL
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2023+
39357
工厂配单，价格优势
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IRLR024ZPBF
INTERNATIONAL ..
原厂原包装
2023+
27103
全新原装正品特价优惠
IRLR024ZTRLPBF
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原厂原包装
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全新原装正品特价优惠
IRLR024ZTRLPBF
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进口原装 库房现货
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5600
IRLR024ZPBF
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进口原装 库房现货
2023+
5600
相关型号： IRLR024TRR IRLR024TRPBF IRLR024TRLPBF IRLR024TRL IRLR024TR IRLR024PBF

IRLR024Z
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IRLR024Z参数：MOSFET N-CH 55V 16A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
设计资源： IRLR024ZSaberModel IRLR024ZSpiceModel
标准包装：75
系列：HEXFET®
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：55V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：16A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：58毫欧@9.6A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：9.9nC@5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：380pF@25V
功率-最大值：35W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
供应商器件封装：D-Pak

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