IRLR024ZTRLPBF参数：MOSFET N-CH 55V 16A DPAK
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNObsolescence： IRLR024Zxx17/Jan/2013标准包装：6,000系列：HEXFET®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：55V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：16A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：58毫欧@9.6A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：9.9nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：380pF@25V功率-最大值：35W安装类型：表面贴装封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63供应商器件封装：D-Pak
