IRLR120NTRR参数:MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
类别:分立半导体产品-FET - 单设计资源: IRLR120NTRPBFSaberModel IRLR120NTRPBFSpiceModel标准包装:3,000系列:HEXFET®包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):100V电流-连续漏极(Id)(25°C时):10A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):185毫欧@6A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):20nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss):440pF@25V功率-最大值:48W安装类型:表面贴装封装:TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63供应商器件封装:D-Pak