IRLR2905TRPBF参数:MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
类别:分立半导体产品-FET - 单产品培训模块: HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)设计资源: IRLR2905TRPBFSaberModel IRLR2905TRPBFSpiceModel标准包装:2,000系列:HEXFET®包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):55V电流-连续漏极(Id)(25°C时):42A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):27毫欧@25A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):48nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss):1700pF@25V功率-最大值:110W安装类型:表面贴装封装:TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63供应商器件封装:D-Pak