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IRLR2908TR

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IRLR2908TRPBF 优势库存

TO-252(DPAK)

2023+

9873

全新原厂原装现货

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IRLR2908TRPBF

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D-Pak

2023+

500

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TO-252-3,DPa..

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27350

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1250

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DPak,SC-63,T..

2023+

6000

品质保证,价格优惠

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INFINEON/IR

D-PAK (TO-25..

2023+

4,000

全新原装，香港现货

IRLR2908TRLPBF

DPAK-3

2023+

26000

晶体管

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DPAK-3

2023+

26000

晶体管

IRLR2908TRPBF

进口原装库房现货

2023+

5600

IRLR2908TR

原装现货

2023+

4500

相关型号： IRLR2908PBF IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRLPBF IRLR2905ZPBF IRLR2905Z IRLR2905TRR

IRLR2908TRLPBF
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IRLR2908TRLPBF参数：MOSFET N-CH 80V 30A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
标准包装：3,000
系列：HEXFET®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：80V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：30A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：28毫欧@23A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：33nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1890pF@25V
功率-最大值：120W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
供应商器件封装：D-Pak

IRLR2908TR

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