IRLR3110ZPBF参数：MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)设计资源： IRLR3110ZPBFSaberModel IRLR3110ZPBFSpiceModel标准包装：75系列：HEXFET®包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：100V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：42A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：14毫欧@38A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@100µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：48nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：3980pF@25V功率-最大值：140W安装类型：表面贴装封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63供应商器件封装：D-Pak
