IRLR3715ZTRR参数:MOSFET N-CH 20V 49A DPAK
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:3,000系列:HEXFET®包装:带卷 (TR)FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):20V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):49A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):11 毫欧 @ 15A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.55V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):11nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):810pF @ 10V功率 - 最大值:40W安装类型:表面贴装封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63供应商器件封装:D-Pak